用于预测单光子的量子存储的激光直写集成平台
2018-09-05
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光和物质之间高效、长寿命的相互作用对于量子信息技术的发展至关重要。量子存储设备的集成光子解决方案由于光约束而提供了更好的性能，并使更复杂和可扩展的设计成为可能。巴塞罗那理工学院的A.Seri团队提出了一种基于激光写入波导的新型量子光存储平台。新采用的书写体系使我们能够获得比以前更好的可控性的波导，首次报告了在激光直写波导中实现单光子存储。虽然他们实现了与在大量样品中观察到的存储效率相当的存储效率，但由于几乎一个数量级的光物质相互作用的增强，用于内存准备的功率被大大降低了100倍。此外，该团队还实现了激发态存储的时间比以前在集成量子存储器中使用单个光子实现的时间长100倍。该系统可以保证有效地满足高效和可扩展的集成量子存储设备的需求。
图1 装置图:426纳米(蓝色光束)的泵浦激光器，将周期性极化的铌酸锂晶体(PPLN)照射在弓形腔内。
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