氮化镓中量子发射器的共振激发
2018-09-04
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近年来，氮化镓(GaN)中的量子发射器因其在紫外、可见光、电信光谱范围内存在，同时该材料生长和制造工艺成熟，因而成为集成量子光子的潜力材料。悉尼科技大学的Mehran Kianinia及其团队演示了氮化镓(GaN)中量子发射器的共振激发，证明了一种新的量子系统——氮化镓(GaN)中的单发射器可以被相干激发。在傅里叶变换(FT)有限线宽附近（250 MHz∼250 MHz）的观察和光谱扩散是量化，是迄今为止氮化镓被报道的最窄线宽。这项研究结果为基于氮化镓的集成量子光子电路铺平了道路，并为该材料中新兴的量子发射器提供了重要的信息。
图(a) 发射器的共振PL激发测量值
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