发光二极管（Light-EmittingDiode，LED）是一种常见的光电器件，被广泛应用于液晶显示、照明、通信等方面。在液晶显示屏的应用中，由于LED不能直接发出偏振光，因此就必须要额外引入一对偏振片来控制光在液晶中的透过性能，以实现显示功能。为了进一步提高显示屏的集成度，研究人员一直以来都在寻找具有偏振特性的LED光源。最近，来自宝岛台湾的国立中央大学、国立成功大学、中央研究院和国立台湾大学的研究团队在LED衬底上制备出椭圆形纳米柱（ellipticalnanorod）阵列结构，实现了偏振光的电致发光，并且在纳米柱的短轴长度小至150nm时电致发光的极化比达到3.17。研究人员通过使用自上而下（top-down）的纳米制备工艺，结合“纳米球-透镜”光刻（nanospherical-lenslithography）和两步蚀刻工艺，制备出了GaN基纳米棒阵列LED，这与当前的半导体制造工艺完全兼容。研究表明，在这些不对称椭圆纳米柱中，具有不同偏振的光以不同速度传播；通过掺入薄的光阻层，可以增加光源的偏振选择性。这里的研究结果将有助于开发芯片级的偏振选择LED，这对于不适合使用外部偏振器或在芯片级偏振光源的应用尤其有益。相关研究发表在近期的《ACS Nano》上。

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