宽带紫外的全硅超表面材料
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紫外光(ultraviolet light)具有较高的光子能量和短波长,可实现高分辨率成像、光刻、传感等多个方面的应用。在现有条件下,人们通常借助笨重的光学器件来控制和使用紫外线,不能满足紧凑光子系统中的器件集成需求。最近,超表面(Metasurface)材料的出现使得光子器件从太赫兹到可见光波段都能实现器件的小型化,在对光子的操控方面显示出前所未有的优势。然而,材料在尺寸和损耗方面的问题阻碍了超表面在较短波长下的实际应用。最近,来自美国加州大学伯克利分校的姚杰教授课题组,联合清华大学的尤政教授课题组、加州大学伯克利分校的LauraWaller教授,设计和制备了一种厚度仅为工作波长1/10的全硅超表面材料(all-siliconmetasurfaces),其对宽带紫外光的操控效率与红外波段的等离子体超表面相当。在此基础上,研究人员首次利用该超表面材料所生成的紫外全息图案,展示了该技术在光刻应用方面的潜力。他们还通过理论模型证实:这种性能增强归因于在紫外光范围内增加的硅基纳米天线的散射截面(scatteringcross sections)。本文所提出的新材料平台将加深我们对光-物质相互作用的理解,并为宽带超构光子学(metaphotonic)应用提供了更多的材料选择,在集成光子学和全息光刻技术方面具有广阔的应用前景。相关文章发表在近期的《Advanced Materials》上。
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