位于威尔士卡迪夫大学的研究人员近日发明的可发射1290nm微纳激光器，每个激光器的大小仅为3×3μm，可以集成到绝缘体硅光子（SOI）电路中，这是第一个展示微纳激光器如何直接集成绝缘体硅基上。

该款激光器可在室温下运行，并且基于铟镓砷/磷化铟（InGaAs / InP）制造，采用9 x 9阵列制造，腔体质量Q因子为23,000，阈值为200μJcm-2。本研究将在光子学领域产生长期影响，特别是在大众市场通信和传感应用领域上有着很大的市场，有望实现高规格光学元件的商品化。

更多的研究内容请关注：https://www.cardiff.ac.uk/news/view/1502929-experts-develop-nanolasers-on-silicon

本文译自https://www.laserfocusworld.com/lasers-sources/article/14033975/iiiv-semiconductor-nanowire-lasers-are-integrated-directly-on-patterned-silicon

kevin编译编辑

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