半导体侧面泵浦激光模块
半导体侧面泵浦激光模块
| 型号 | Nd:YAG(mm) | 泵浦功率(808nm) | 单脉冲能量 (200us) | 典型电流(A) | 典型电压(V) |
| GQ9 | Φ2-4 | 900W | >30-40mJ | 110 | 18 |
| GQ12 | Φ2-4 | 1200W | >40-50mJ | 110 | 24 |
| GQ15 | Φ2-4 | 1500W | >60-70mJ | 110 | 30 |
| GQ30 | Φ3-5 | 3KW | >120-140mJ | 110 | 60 |
| GQ50 | Φ3-5 | 5KW | >200-250mJ | 110 | 100 |
| GQ50B | Φ3-5 | 5KW | >200-250mJ | 200 | 50 |
| GQ100B | Φ4-8 | 10KW | >400-500mJ | 200 | 100 |
| GQ200B | Φ4-8 | 20KW | >800-1000mJ | 200 | 200 |
| 半导体芯片可进行线性排列封装、垂直排列封装、弧形排列封装，以适应不同的泵浦结构。 | |||||
注：Nd:YAG搀杂浓度0.6～1.1%可选；单脉冲能量定义条件为200μs/100Hz情况下1064nm脉冲能量；常规模组的设计占空比≤5%，高占空比模块需要定制；小信号增益可能根据Nd:YAG浓度、长度及直径有所不同；冷水及传到制冷结构可以定制。
● MQ系列，焦耳级准连续/脉冲半导体泵浦激光器模组
| 型号 | Nd:YAG直径 | 单脉冲能量 | 工作电压 | 峰值电流 |
| MQ1 | 5-10mm | >1J | 250V | 200A |
| MQ2 | 5-10mm | >2J | 500V | 200A |
| MQ3 | 5-10mm | >3J | 750V | 200A |
| MQ5 | 5-10mm | >5J | 1250V | 200A |
| MQ10 | 5-10mm | >10J | 2500V | 200A |
注：MQ系列的驱动电源一般由多台电源同步驱动，这里的工作电压指的是内部芯片压降之和；单脉冲能量定义条件为200μs/200Hz情况下1064nm脉冲能量；MQ系列一般设计占空比≤2%；MQ系列为定制型产品。
应用范围：
1. 工业材料加工；
2. 作为激光振荡发生器和种子光源；
3. 作为激光放大器；
4. 通过被动调Q或者电光调Q获得高峰值功率脉冲；
5. 其他科研及医疗用途；
6. 高精度远程测距；
7. 高能脉冲的军事用途。
我司专业定制各种环形 半圆形1/3圆形1/4圆形 多角度异型激光器，客户可以提供图纸或参数，定制异性激光器，供各大科研院所、军工企业进行试验和量产的服务。
