平面同轴Si(001)基超低阈值InAs/GaAs量子点微盘激光器
2019-04-27
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高效的III-V光源在平面同轴Si(001)上的单片集成已被公认为实现基于Si的光子集成电路(PICs)的一种必要技术。利用量子点(QD)材料的微盘激光器领域正获得巨大的发展势头，因为它使大规模可伸缩的、流线型的基于Si的PICs制造成本更低。近日，来自香港中文大学的研究人员提出了单片生长在Si(001)基板上的InAs/GaAs QD微盘激光器，在室温条件连续波光泵浦下具有超低的激光阈值。微盘激光器具有小直径(D)（大约2μm）和亚波长规模(??∼1.1μm)的激光特性已经被证实，同时其激光阈值低至3μW。超低功耗、低功耗、低功耗的微盘激光器具有良好的激光发射特性，这是在Si平台上大规模、低成本集成激光源的重大进展。
图（a）测量的微盘激光光谱（D=1.1/1.4微米）
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