通过范德华作用力，二维材料薄层可以进行原子级地垂直堆叠组装，使晶格不匹配的单层晶体之间可以耦合。因此，在组成晶体结构的局部原子注册表中出现了一个总体周期，这被称为莫尔超晶格。在石墨烯/六方氮化硼结构中，摩尔超晶格的存在可导致电子微带的出现，而在扭曲的双层石墨烯中，这种效应通过层间共振条件得到增强，从而发生超导体-绝缘体转变。文章中，作者通过使用不匹配的二硒化钼（MoSe2）和二硫化钨（WS2）单层组装成半导体异质结构，并在实验中发现激子能带可以杂化，并导致莫尔超晶格效应得到共振增强。作者认为正是由于二硒化钼（MoSe2）和二硫化钨（WS2）导带边缘的近简并性，促进了异质结构内部和层间激子的杂化。另外，作者发现，当二硒化钼中的空穴与邻近单层中的电子态叠加相互结合时，杂化激子显示为显著的激子能级偏移与层间转角之间的周期性函数关系。对于单层对几乎均布排列的异质结构，电子态的共振混频会导致异质结构的几何莫尔图案对杂化激子的色散和光谱有显著影响。这项研究结果为基于范德华异质结构的半导体器件中的能带结构设计提供了更多的思路。

图1 扭曲的MoSe2/WS2异质双层结构

图2 扭曲的MoSe2/WS2异质双层结构的光学特性

图3 杂化激子的理论莫尔能带和吸收光谱

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