等离子体共振的平面内相干控制
2019-03-08
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最近在全光学中的光-光信号调制和图像处理领域，存在潜在应用的元器件中等离子体共振的相干控制已经受到研究人员相当大的关注。之前相关的报道主要涉及：通过调制驻波中元设备的位置，建立了基于等离子体共振的面外相干控制。本文的研究表明，根据纳米天线的电场分量的分布规律，通过平面内相干控制等离子体共振，可以在金属纳米天线中实现破坏性吸收。本文提供了对金纳米盘状单体和二聚体中表面等离激元转换效应的原理证明，并提出了金纳米盘状体链中的表面等离激元编码策略。等离子体共振的平面内相干控制可能为纳米电路中成像、光谱增强，纳米激光器和光通信的应用提供了新的思路。
金纳米盘单体中等离子体共振的面内相干控制。a，b）计算的金纳米盘单体的归一化吸收光谱，直径范围为140至200 nm；c-e）代表性金的“F”和“H”模式（方形和圆形符号）的电场幅度| E |，实部Re（Ez）和虚部Im（Ez）的相应空间分布。“F”和“H”代表基波和高阶等离子体共振。
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