1 . 3GHz超导腔研发获新进展
浏览量(110)
在北京先进光源技术研发与测试平台(PAPS)与上海硬X射线自由电子激光装置(SHINE)的关键样机研制中,中国科学院高能物理研究所在高性能(高Q值、高梯度)超导腔的研发上持续攻关。经过深入细致优化超导腔的加工工艺及流程和制造环节、完善超导腔表面处理及测试技术,在2018年年末之际,1.3GHz 9-cell超导腔(细晶串腔)及1.3GHz 1-cell超导腔(细晶单腔)的研制再获新进展。
研制完成的两只1.3GHz 9-cell超导腔,经2.0K垂测,均达到了SHINE关键样机的非掺氮超导腔的技术指标上限。其中,1300-N001超导腔加速梯度Eacc达到18.5MV/m,在16MV/m的加速梯度下,Q0达到1.5×1010,较高能所研制的1.3GHz 9-cell超导腔的品质因数提高了约50%。此外,两只超导腔垂直测试中均无明显辐射剂量,标志着洁净间组装技术达到国际先进水平。
同时,对1.3GHz 1-cell超导腔进行了掺氮(N-doping)实验,垂测结果达到3.3 ×1010@18MV/m,Q值比掺氮前提高了1倍。这是国产超导腔(细晶单腔)第一次达到SHINE的设计指标(2.7×1010@16MV/m)。此外,测试过程中观察到了明显的anti-Q-slope现象,即超导腔的Q值随加速梯度Eacc的升高而变大,这是1.3GHz超导腔进行掺氮后的典型现象。
下一步将总结和进一步优化研制工艺步骤并固化流程,同时采取EP及掺氮等手段进一步提高1.3GHz 9-cell超导腔的Q值及加速梯度,以最终达到工程的大批量、高性能需求。
1.3GHz 9-cell超导腔
1.3GHz 9-cell 超导腔垂直测试结果
1.3GHz 1-cell 超导腔垂直测试结果
分享至好友和朋友圈
免责声明:
网站内容来源于互联网、原创,由网络编辑负责审查,目的在于传递信息,提供专业服务,不代表本网站及新媒体平台赞同其观点和对其真实性负责。如因内容、版权问题存在异议的,请在 20个工作日内与我们取得联系,联系方式:021-80198330。网站及新媒体平台将加强监控与审核,一旦发现违反规定的内容,按国家法规处理,处理时间不超过24小时。