共振半导体纳米天线阵列中的定向激光
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近年来,支持强电磁共振的高折射率电介质和半导体纳米颗粒引起了人们的极大关注。然而,到目前为止,还没有关于这种纳米结构的激光产生的实验报道。最近,来自新加坡科技研究局A*STAR的科研团队向我们展示了一种有源介电纳米天线阵列中的定向激光(directional lasing),它具有较低的阈值和高品质因数,主要是通过在耦合的砷化镓(GaAs)纳米柱中所激发的泄漏共振(leaky resonance)实现。在该研究中,用于副衍射阵列(subdiffractivearrays)的垂直电偶极子集体共振产生了一个等效的连续体,通过部分地破坏这个连续体中的束缚态(bound state),可以用来形成此处的泄漏共振。研究人员可以在保持高品质因子(Q = 2,750)的同时控制发射光的方向性,也可以通过改变纳米天线阵列几何结构和修改GaAs随温度的增益谱来调整激光的方向性和波长。该文章所获得的研究结果为实现基于有源介电纳米天线的紧凑、高度透明的表面发射激光器(surface-emitting laser)提供了一定的指导意义。相关研究发表在近期的《Nature Nanotechnology》上。
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