磁光效应（Magneto-opticalphenomena），如法拉第（Faraday）和克尔效应（Kerr effect），在控制介质中传播的光场偏振和强度方面起着重要作用。其中，光的出射方向对外部磁场的取向有着一定的依赖关系，被称为强度效应（intensityeffect），因其可以用于光的路由控制，因而引起了人们极大的研究兴趣。到目前为止，已知利用强度效应来控制光发射的应用都是沿着平行于磁场的轴线方向。近日，来自德国多特蒙德工业大学、俄罗斯科学院Ioffe研究所、波兰科学院的研究团队报道了一类新的光发射现象，即位于表面附近的光源方向垂直于外部磁场的施加方向，他们称之为光发射的横向磁性路由（transversemagnetic routing）。作为这种效应的原理性证明，研究人员在稀磁半导体量子阱中（diluted-magnetic-semiconductorquantum well）展示了激子（exciton）发射的路由现象，并且在等离子体-半导体的杂化结构中观测到对方向性的增强效率高达60％。相关研究发表在近期的《Nature Physics》上。

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