NC综述：二维半导体在“光-物质”强耦合作用中的应用
2018-07-29
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作为一种典型的二维半导体材料，过渡金属硫族化合物（Transition Metal Dichalcogenide）的光学性质广泛地受到激子（exciton）、库仑力束缚的“电子-空穴对”的支配作用。这些准粒子表现出巨大的振荡强度，并能产生出窄带、效应显著的光学跃迁，可以很容易地与光学微腔和等离激元纳米结构中的电磁场发生共振。由于单层的原子薄度和鲁棒性（robustness），它们可以在范德瓦尔斯异质结构中的实现集成，为更好地调制“光-物质”的强耦合作用提供了机会。近日，来自德国维尔茨堡大学、俄罗斯Ioffe研究所、德国雷根斯堡大学、英国圣安德鲁斯大学和法国图卢兹大学的研究人员组成的研究团队在《Nature Communications》上发表了综述文章，系统回顾了这一新兴领域的初步成果，并概述了未来的机遇和挑战。这将有助于实现超快速光开关、光子路由和其他光电子器件，甚至可能用于信息处理的“光-物质”强耦合作用相关的应用中。
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