科学家在二硒化钼单层材料中观测到激子—声子耦合
2018-07-29
浏览量(91)
最近，来自法国、俄罗斯和日本等国的联合研究团队从实验上和理论上研究了封装在六角形氮化硼内的二硒化钼单层中的激子—声子相互作用，这种相互作用对光学吸收和光学辐射这两个过程都具有重要影响。激子跃迁线宽在低温下可以低至1毫电子伏，这使得人们可能在吸收和辐射光谱中观察到延展超过几个毫电子伏的高能尾端，而不会被非均匀的谱线展宽所掩盖。
研究者们提出了一种激子—声子相互作用的解析理论，用以解释由纵向声学声子引起的形变势，它在激子形成中起着重要作用。用该理论可以拟合吸收和辐射光谱，并可以估计二硒化钼单层中的形变势。
研究人员着重阐述了二维过渡金属二硫化物材料中的激子—声子耦合要比在传统量子阱结构中强得多的原因。而光致发光激发实验中观测到的多种拉曼特征谱线，则进一步凸显了激子—声子相互作用的重要性。
微信分享
![]()
x
用微信扫描二维码
分享至好友和朋友圈
分享至好友和朋友圈
免责声明：
网站内容来源于互联网、原创，由网络编辑负责审查，目的在于传递信息，提供专业服务，不代表本网站及新媒体平台赞同其观点和对其真实性负责。如因内容、版权问题存在异议的，请在 20个工作日内与我们取得联系，联系方式：021-80198330。网站及新媒体平台将加强监控与审核，一旦发现违反规定的内容，按国家法规处理，处理时间不超过24小时。
沪公安网备 31011402003710号