一.背景介绍

量子比特保真度已经被广泛地研究，并且已经达到相对低的错误概率。即使对于一个纠错循环，容错阈值已经可以达到1%的量级，但单个部件的容错率要求更好（大约0.1%或更好）。自旋量子比特的状态可以使用自旋-电荷转换机制来测量，自旋-电荷转换机制利用Pauli自旋阻断将自旋态映射到电荷态，然后用电荷传感器读出。可达到的最小读出误差主要取决于两个时间尺度：一个是准确区分两个读出状态所需的时间，另一个是这些状态的寿命。前期的研究工作表明，可以使用亚稳电荷状态的映射来改善信号幅度，然而还存在以下关键问题：一是没有使用这种增强过程的实现过高保真度单点读出；二是，还没有证明信号的寿命是否也可以通过该电荷映射过程得到增强；三是限制亚稳状态寿命的机制仍不清楚。

二.实验介绍

文中实验是在稀释金属化器中的硅金属氧化物半导体量子点载体(QD-D)器件中进行的。该器件被电偏置以在上部导线中形成单电子晶体管（SET），其用作电荷传感器，以及在下导线中的几个电子的量子点，量子点不对称地偏置，使得它耦合到单个储层本文中。研究人员研究了影响增强锁存读出机制的两种变量、量化单点读出的保真度增强、并澄清一些重要的误差机制。首先，文中方法可使自旋态被映射成不同电子的电荷构型，与由传统读出产生的小偶极子相比，产生了更高的电荷信号，更容易被电荷传感器检测到。其次，闩锁行为通过改变自旋弛豫机制到亚稳态电荷弛豫状态，可将电荷信号的寿命延长几个数量级。闩锁机制对于GaAs等材料作用尤其明显，其自旋阻挡寿命约为10μs。使用本文方法实验实现了65μs内大于99.86%的读出保真度，为目前报道的最高值。另外，本文讨论结果可应用于能应用闩锁机制的全交换量子比特系统。

图1.实验装置示意图

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