近日，东南大学电子科学与工程学院张彤教授团队在二维材料光电探测器件方面取得重要进展。相关研究成果于1月8日以“Broadband MoS2 Field-Effect Phototransistors:Ultrasensitive Visible-Light Photoresponse and NegativeInfrared Photoresponse(宽光谱响应二硫化钼场效应光晶体管：超灵敏可见光光响应和红外负响应)”为题发表在材料类顶级刊物Advanced Materials上(影响因子19.791)(https://doi.org/10.1002/adma.201705880)，并由编辑推荐制作视频摘要作为特写于1月31日发布在Advanced Materials的官方网站，同时在YouTube等视频共享网站上在线播放(https://youtu.be/PtSpdlk1450)。

　　光电探测器是光电子器件领域的核心功能器件，在光通信、视频成像、医学探测等众多领域具有广泛应用前景。张彤教授课题组与英国剑桥大学 Prof.Daping Chu课题组合作提出，利用过渡金属硫属化物MoS2二维材料作为场效应晶体管沟道，构建新型光电探测器件，首次在同一个光探测器中观察到了对可见光的超灵敏光电流正响应和对红外光的快速负响应反常现象。该工作的第一作者是东南大学电子科学与工程学院13级博士生吴静远，第一单位是东南大学电子科学与工程学院，张彤教授和英国剑桥大学Prof. Daping Chu为共同通讯作者。

　　自 2010年来，张彤教授团队在纳米光学薄膜器件、表面等离激元、印刷电子、微纳集成与惯性传感领域取得了一系列重要成果，在Energy & Environmental Science 、ACS Nano、ACS Applied Materials & Interfaces 和Nanoscale等国际前沿的期刊上发表多篇论文，授权美国专利4项，编撰学术专著4部。以上工作受到了国家重点研发计划纳米专项、国家自然基金、东南大学优博基金等项目资助。

　　来源：中国激光杂志社

微信分享

x

用微信扫描二维码
分享至好友和朋友圈

网站内容来源于互联网、原创，由网络编辑负责审查，目的在于传递信息，提供专业服务，不代表本网站及新媒体平台赞同其观点和对其真实性负责。如因内容、版权问题存在异议的，请在 20个工作日内与我们取得联系，联系方式：021-80198330。网站及新媒体平台将加强监控与审核，一旦发现违反规定的内容，按国家法规处理，处理时间不超过24小时。