2017年12月14日在韩国蔚山——研究人员采用混合工艺使硅光子波导与量子点相结合，将硅光子器件与固态单光子发射器整合在一起。其中使用硅光子波导来操纵光，使用InAs/InP量子点在横跨O波段和C波段的波长处有效地生成光。

　　集成的InP纳米束和硅波导的原理图。由韩国蔚山国家科学技术研究所提供。

　　来自韩国蔚山国家科学技术研究所(UNIST)和马里兰大学的研究小组利用微探针尖端与聚焦离子束和扫描电子显微镜相结合，通过拾放过程去除了量子点。研究人员利用拾放技术，在纳米级精度的硅光子芯片上定位外延生长的InAs/InP量子点，并在电信波长上发射。他们使用绝热锥化的方法将发射有效地从量子点转移到波导。研究人员还采用了硅光子芯片分束器来完成Hanbury-Brown和Twiss测量。

　　这是制备的纳米束的扫描电子显微镜图像，其中纳米束悬浮于附到块状基底的细连接物上。由韩国蔚山国家科学技术研究所提供。

　　研究小组认为，他们的方法可以使预先表征的III-V族量子光学器件集成到大规模的光子结构中，这将使得由许多发射器和光子组成的复合器件成为可能。

　　韩国蔚山国家科学技术研究所(UNIST)的教授Je-Hyung Kim表示：“为了构建基于光子的集成量子光学器件，有必要在单个芯片上产生尽可能多的量子光源。“通过这项研究，我们提出了量子光学器件的基本形式，即通过生产量子点的高效量子光源，创建使用硅衬底操纵光的途径。”

　　研究小组表示，利用硅芯片开发的高度先进光子学功能揭露了控制和传播指定单光子源的非经典光的可能性。另外，制备的器件在通信波长下工作，并且可以由电力驱动，这对基于光纤的量子通信是十分有用的。

　　该研究发表在Nano Letters杂志上。

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