DKDP晶体长籽晶快速生长技术获进展 将用于高功率激光装置
2020-03-05
浏览量(381)
日前，中科院上海光机所发文称，该所于近期出槽一块尺寸为470mm×495mm×560mm（长×宽×柱面高）长籽晶快速生长的大口径DKDP晶体，这是国际上首次获得的大口径长籽晶DKDP晶体，标志着长籽晶快速生长DKDP晶体技术得到成功验证。相关晶体制备技术已经申请了专利（公开号：CN 109943881A，CN110055579A）。
研究团队采用长籽晶点晶技术（籽晶长度320mm），在自主研发的1300型连续过滤晶体生长槽中经过三个多月生长成功出槽。初步测试结果表明，晶体毛坯内部透明度好，可以满足无锥柱交界面的大口径二类混频元件切割要求。
长籽晶快速生长技术是上海光机所在第一代DKDP晶体快速生长技术（双锥生长技术）基础上的又一突破。它耦合了传统生长技术与快速生长技术的优点，具有传统生长技术无锥柱交界面、快速生长技术生长周期短的优点，又兼具切片效率高的特点，为国际高功率激光装置建设所需DKDP晶体生长提供了新方案。
连续过滤长籽晶快速生长技术制备的DKDP晶体
（晶体尺寸470mm×495mm×560mm，籽晶长度320mm）
微信分享
![]()
x
用微信扫描二维码
分享至好友和朋友圈
分享至好友和朋友圈
免责声明：
网站内容来源于互联网、原创，由网络编辑负责审查，目的在于传递信息，提供专业服务，不代表本网站及新媒体平台赞同其观点和对其真实性负责。如因内容、版权问题存在异议的，请在 20个工作日内与我们取得联系，联系方式：021-80198330。网站及新媒体平台将加强监控与审核，一旦发现违反规定的内容，按国家法规处理，处理时间不超过24小时。
沪公安网备 31011402003710号