在兼容CMOS的超富硅氮化物上实现布拉格孤子压缩和裂变
2019-07-13
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高阶孤子动力学，特别是孤子压缩和裂变，是超快光学、通信和信号处理的关键应用基础。布拉格孤子利用了光子带边缘附近周期性介质的强色散特性。这使得孤子动力学能够在非常短的传播距离内发生，从而为集成光子平台中的孤子压缩和裂变开辟了道路。然而，在互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容平台中实现孤子压缩和裂变会受到强非线性损耗的阻碍，该非线性损耗影响在硅中的传播和传统氮化硅的低光学非线性。在这里，兼容CMOS的片上布拉格孤子呈现出具有×5.7因子的孤子效应脉冲压缩，以及在兼容CMOS光子电路平台上孤子裂变的时间分辨测量。通过结合独特的包层调制布拉格光栅设计和超富硅氮化物（USRN：Si7N3）材料平台的高非线性和可忽略的非线性损耗，可以实现布拉格孤子的压缩和裂变。
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