基于NiS2可饱和吸收体的纳秒被动调Q光纤激光器
2019-07-13
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采用二硫化镍（NiS2）作为可饱和吸收体（SA），在掺铒光纤激光器（EDFL）和掺铥光纤激光器（TDFL）腔中成功地证明了调Q脉冲激光的产生。在37 mW和48 mW的低泵浦功率情况下，分别获得1.55μm和2.0μm的调Q脉冲激光。对于EDFL，实现了波长为1561.86nm的稳定被动调Q激光输出，最小脉冲持续时间为237ns，重复频率为243.9kHz。对于TDFL，激光输出的中心波长为1915.5nm，最小脉冲持续时间为505ns，重复频率为214.68kHz。NiS2首次作为SA用作宽带波长产生调Q激光。
图（a）NiS2-PVA薄膜和NiS2 SA装置的图像， NiS2-PVA薄膜转接到光纤连接器上。 （b）NiS2样品的拉曼光谱
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