激光加工技术助力中远红外光纤内芯制造
浏览量(175)
中红外区域波长内的基于半导体的光纤可以实现很多普通二氧化硅玻璃的光纤不能实现的功能,例如光电检测和光发射,光电探测可以通过III-V价和IV价半导体实现,而光发射可以使用III-V价半导体进行实现。
挪威科技大学(NTNU)的研究人员正在研制由III-V和IV半导体组成的光纤,并同时使用CO2激光进行加工从而改进光纤性能,将锑化镓(GaSb)融合在在红外光IV价半导体传输硅(Si)光纤中。为了制造光纤,研究人员将熔融GaSb / Si纤芯混合预制棒拉制成具有150μm纤芯的纤维,其中Si中嵌入了小晶体GaSb并与纤维轴对齐。然后,他们用CO2激光加热光纤,以进一步隔离GaSb区域,使其周围的硅重新生长,沿着激光束的移动焦点可以形成含GaSb的区域,允许在Si内产生长达1.4mm的GaSb晶体。
为了验证光纤性能,研究人员使用1064 nm的激发使GaSb晶体在1600 nm左右处发光,表明晶体质量很高,他们的研究成果表明光纤潜在应用价值不只是在传输光束,同时还具备检测光束和激发光束的意义。
本文译自https://www.laserfocusworld.com/fiber-optics/article/14033891/laser-processing-improves-midir-semiconductorcore-optical-fibers
kevin编译编辑
分享至好友和朋友圈
免责声明:
网站内容来源于互联网、原创,由网络编辑负责审查,目的在于传递信息,提供专业服务,不代表本网站及新媒体平台赞同其观点和对其真实性负责。如因内容、版权问题存在异议的,请在 20个工作日内与我们取得联系,联系方式:021-80198330。网站及新媒体平台将加强监控与审核,一旦发现违反规定的内容,按国家法规处理,处理时间不超过24小时。