CEA旗下一研究机构Leti宣布其可以研发基于CMOS晶圆的GaN型microLED显示单元，可以制造出应用在从智能手表到电视显示屏上的任何尺寸。该方法是通过在CMOS型驱动电路上直接制造RGB microLED的基本单元，这些单元采用全半导体晶圆级方法制造。

这一处于新概念验证阶段的新工艺为未来商用高性能microLED显示器铺平了道路，基于CMOS的方法可以提供更高亮度和更高分辨率microLED显示屏，是改变未来显示行业的重要途径。虽然microLED显示屏比传统液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）技术更具有出色的图像质量和更高的能效，但microLED显示器目前在商业化的道路上面临着重大障碍。主要是microLED显示单元需要更高驱动电流和响应速度的驱动电路，现有的显示驱动技术薄膜晶体管（TFT）是无法提供必要的电流和速度。

而Leti的新方法是采用CMOS驱动的高性能microLED显示单元，采用简化的传输工艺，无需使用TFT背板。将RGB microLED直接堆叠在CMOS电路上，并且每个单元被转移到简单的接收基板上，并且microLED和背板可以在全半导体晶圆级上完成制造。

本文译自https://www.laserfocusworld.com/lasers-sources/article/14033669/cealeti-develops-cmos-waferbased-microled-fabrication-technique

kevin编译编辑

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